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          聯(lián)電,發(fā)力這些芯片市場

          發(fā)布日期:2022-08-22 瀏覽次數(shù):737

          聯(lián)電車用布局大躍進,近期再拿下德儀、英飛凌等車用芯片大廠新認證,八大關鍵領域車用認證都到手,通吃全球一線車廠芯片大單。


          聯(lián)電7月營收248.27億元,連續(xù)十個月創(chuàng)新高;前七月營收1,603.04億元,年成長37.75%。法人看好,車用芯片毛利率佳,利潤也高,時值消費性電子需求降溫,車用芯片供應仍吃緊之際,聯(lián)電車用認證大有斬獲,有助抵抗景氣波動。


          對于車用布局報捷,聯(lián)電強調,該公司營運規(guī)劃上,車用芯片確實是作為布局特殊制程的聚焦領域和主軸之一。以旗下28納米制程為例,除了原有的多晶矽氮氧化矽(Poly-SiON)制程外,高介電常數(shù)絕緣膜/金屬閘極(High-k/Metal gate)技術也已大量生產(chǎn),車用規(guī)格亦已完成品質驗證并提供相應所需IP于平臺上。


          據(jù)了解,聯(lián)電已拿下八大車用芯片領域關鍵認證,涵蓋功率半導體、WiFi/藍牙等無線通訊應用、毫米波雷達感測器(Radar sensor)、Auto AP、微控制器(MCU)、CIS感測器、OLED/LCD驅動IC、微機電感測器等,幾乎所有車用芯片必備的認證都已到手。


          其中,功率半導體方面包括350/180/110納米的BCD制程、MOSFET及IGBT方面的350/180納米制程、RFCMOS(射頻互補金屬氧化半導體)的65/40/28納米制程。毫米波雷達感測器則有40/28納米制程以及Logic /MS等,另外還有Auto AP的40/28納米制程。


          微控制器應用則有eNVM 110/55/40/28納米制程,CIS/ISP則90/65/40/55/40/28納米制程。顯示芯片則囊括180/80/55/40/28納米制程;微機電感測器則有350/180納米制程。


          供應鏈指出,聯(lián)電已取得英飛凌、恩智浦、德儀、微芯片科技等車用芯片大廠大單,這些客戶在全球車用芯片市占總和超過三成,近期也在爭取22納米相關車用認證,全力強攻車用市場。由于車用芯片可靠度要大于15年,再加上零缺陷(Zero Defects)的要求,聯(lián)電獲得多家大廠新認證,凸顯技術競爭優(yōu)勢。


          外資大力推崇車電市場后市,預期車用電子可望扮演新一波利多主流。摩根士丹利(大摩)最新報告,以「車用電子全速前進」為題,看好車用電子市場至2025年年均復合成長率達12%,遠優(yōu)于智慧手機和PC/NB僅3%的水準。


          大摩指出,2018年全球車用電子市場約1,500億美元,預估2025年爆發(fā)成長至2,870億美元,主因電動車滲透率持續(xù)提升,加上先進駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)使用率增加,預期2025年電動車材料成本當中,高達35%至45%為車用電子元件,是傳統(tǒng)汽車的2.5倍,整體車電需求成長可期。


          深耕特殊制程


          聯(lián)電車用領域拿下多項國際大廠指標認證,深耕多年的特殊制程發(fā)威,成為后續(xù)接單的利器。根據(jù)聯(lián)電最新年報,去年耗資研發(fā)費用約129億元,取得邏輯技術和特殊技術研發(fā)豐碩成果,為聯(lián)電樹立高門檻競爭優(yōu)勢。


          觀察聯(lián)電的營運策略,聯(lián)電董事長洪嘉聰曾說,聯(lián)電自從調整經(jīng)營策略后,轉型為專注特殊技術的領先者,并從強化財務結構、具成本競爭力的產(chǎn)能擴充及調整產(chǎn)品組合著手。


          聯(lián)電在特殊制程耕耘成果豐碩。2007年初就達成14納米鰭式場效電晶體(FinFet)客制化制程量產(chǎn)的里程碑,隨后又更進一步推出14FFC(14納米FinFET Compact),除了速度較28納米增快55%,閘密度更提升兩倍。


          聯(lián)電目前客戶以聯(lián)電14FFC平臺設計的產(chǎn)品良率已突破90%,效能更滿足客戶需求,也已成功的導入5G及網(wǎng)通等應用,成功順利進入量產(chǎn)。


          在22納米超低功耗/超低漏電制程技術方面,聯(lián)電開發(fā)的22納米與28納米高效能精簡低耗電型制程技術平臺(HPC+)具有相同光罩層數(shù)及相容的設計準則,但22納米技術效能提升10%、功耗降低20%、晶粒尺寸減少10%,22納米制程成本競爭力大大提升,提供客戶更多選擇。


          聯(lián)電28納米高效能制程采用高介電系數(shù)/金屬閘極(High-k/Metal gate)制程技術,其中,28納米高速運算制程客制化應用于影像信號處理器(ISP)也在2020年量產(chǎn),2021年成功導入更高階的108Mp產(chǎn)品并順利量產(chǎn),今年導入2億像素產(chǎn)品進行試產(chǎn)。


          布局第三代半導體


          聯(lián)電車用布局有重大斬獲之際,第三代半導體事業(yè)也傳出捷報,旗下聯(lián)穎光電第三代半導體業(yè)務受惠于5G、車用等應用需求暢旺,今年第2季已連續(xù)五季獲利且逐季成長,上半年更賺贏去年全年。


          聯(lián)穎光電是聯(lián)電第三代半導體重要轉投資,持股約八成,主要提供6吋化合物半導體晶圓代工服務,技術囊括砷化鎵新一代HBT技術、0.15微米pHEMT技術、氮化鎵高功率元件到SAW濾波器,并跨足光電元件制造,終端產(chǎn)品應用領域包括手機無線通訊、無線微型基地臺、國防航太、光纖通訊、光學雷達及3D感測元件等。


          聯(lián)穎光電搶搭第三代半導體市場火熱商機,營運表現(xiàn)出色,2021年全年獲利為5.04億元,今年第1季與第2季獲利分別為3.41億元、3.55 億元,已連續(xù)三季沖破3億元大關,今年上半年已賺贏去年一整年。




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